наносекундном лазерном возбуждении был реализован режим лазер-
ной генерации без внешнего оптического резонатора с низким поро-
гом. В настоящей работе ставилась задача получения лазерной гене-
рации в опале при непрерывном возбуждении полупроводниковыми
светодиодами.
Схема эксперимента.
Измерение спектров люминесценции и на-
правленного излучения проводилось на специально собранной для
этого установке (рис. 1). Краситель растворяли в этиловом спирте с
концентрацией
10
−
5
г/см
3
, полученный раствор заливали в кварцевую
кювету толщиной
d
= 10
мм, куда помещалась опаловая матрица раз-
мером
2
×
10
×
5
мм. Спектральное положение стоп-зоны, измеренное
по спектру пропускания, находится в области длин волн 540–590 нм,
а ее максимум — в районе 570 нм при диаметре сфер SiO
2
, пример-
но равных 280 нм. Измерения проводились после полного заполнения
пор опаловой матрицы раствором красителя, а кювета располагалась
так, чтобы избежать паразитных отражений.
С помощью широкополосного источника света находили участок
поверхности опала с ярко выраженной стоп-зоной (она проявляется
интенсивным пиком отражения). Затем с помощью полупроводнико-
вых светодиодов возбуждали найденный участок поверхности образ-
ца. Использование многожильного зонда позволило обеспечить эффек-
Рис. 1. Схема экспериментальной установки:
1
— источник широкополосного (белого) света;
2
— источник возбуждающего
излучения;
3
— кварцевые световоды;
4
— оптический зонд;
5
— исследуемый
образец;
6
— кювета с жидким красителем;
7
— краситель;
8
— зеркало;
9
—
миниспектрометр FSD-8;
10
— компьютер
ISSN 1812-3368. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Естественные науки”. 2012. № 4
45
