Рис
. 2.
Экспериментальные
ВАХ диода с бариевым на
-
полнением при
T
А
= 870 K
:
1
—
U
обр
заж
= 871
В
,
р
Ba
=
= 0
,
1
Па
;
2
—
U
обр
заж
= 1297
В
,
р
Ba
= 0
,
06
Па
Рис
. 3.
Напряжение
U
пр
обратного ду
-
гового пробоя бариевого диода при
∆
МЭЗ
= 2
,
5
мм
,
T
A
= 856
(
1
), 870 (
2
),
892 (
3
) K
(
анод
—
молибден
)
Сопоставление теории и экс
-
периментальных данных
.
Для
расчета температуры термализо
-
ванных электронов цезиевой плаз
-
мы в работе
[1]
использовалось со
-
отношение
(15),
полученное в пред
-
положении
,
что в ионизации преоб
-
ладающими являются ступенчатые
процессы
,
начиная с первого мета
-
стабильного уровня
1,44
В
.
Поскольку ионизация опреде
-
ляется энергичными электрона
-
ми
,
соответствующими
“
хвосту
”
функции распределения электро
-
нов и возникающими при вторич
-
ной эмиссии на катоде
,
то условия
,
приводящие к ступенчатой иони
-
зации
,
выполняются гораздо луч
-
ше
[2],
чем в бариевой плазме
.
Учитывая более высокий
потенциал ионизации бария
(
ϕ
ион
= 5
,
21
В
)
по сравнению
с потенциалом ионизации цезия
(
ϕ
ион
= 3
,
89
В
),
а также характер и
распределение низколежащих энергетических уровней и дополнитель
-
ный выход резонансного излучения из разреженной плазмы
,
можно
предположить
,
что ионизация атомов бария происходит
,
в основном
,
за
счет прямых столкновений электронов с атомами
[3].
В этой связи при расчете электронной температуры по зависимости
(15)
из работы
[1]
в левой части использовалось выражение для ско
-
ISSN 1812-3368.
Вестник МГТУ им
.
Н
.
Э
.
Баумана
.
Сер
. “
Естественные науки
”. 2005.
№
1
75
