|

Зажигание обратного дугового разряда в бариевом термоэмиссионном диоде

Авторы: Лошкарев А.И., Онуфриев В.В. Опубликовано: 22.04.2014
Опубликовано в выпуске: #1(16)/2005  
DOI:

 
Раздел: Физика  
Ключевые слова:

Проведено экспериментальное исследование напряжения зажигания обратного дугового разряда в парах бария. Полученные результаты показали увеличение напряжения зажигания до 1800...2320 В при температурах анода 850...1050 K и находятся в хорошем согласии с разработанной аналитической моделью зажигания обратного дугового разряда.