| 
Поиск по ключевому слову "модель рекомбинации"
Механизм токопрохождения в полупроводниковых p--Si--n--(Si2)1--x(CdS)x структурах
| Авторы: Зайнабидинов С.З., Мадаминов Х.М. | Опубликовано: 08.08.2020 |
| Опубликовано в выпуске: #4(91)/2020 | |
| DOI: 10.18698/1812-3368-2020-4-58-72 | |
| Раздел: Физика | Рубрика: Физика конденсированного состояния | |
| Ключевые слова: твердый раствор, вольт-амперная характеристика, подвижность, инжекция, модель рекомбинации, дрейфовый механизм | |