| 
Поиск по ключевому слову "модель рекомбинации"
Влияние рекомбинационных процессов на температурную зависимость вольт-амперных характеристик структур pSi--n(Si2)1 -- х(CdS)х
| Авторы: Мадаминов Х.М. | Опубликовано: 06.06.2025 |
| Опубликовано в выпуске: #2(119)/2025 | |
| DOI: | |
| Раздел: Физика | Рубрика: Физика конденсированного состояния | |
| Ключевые слова: жидкофазная эпитаксия, экспоненциальный участок, модель рекомбинации, омическая релаксация, диффузионный механизм, дрейфовый механизм, инжекционный детектор | |
Механизм токопрохождения в полупроводниковых p--Si--n--(Si2)1--x(CdS)x структурах
| Авторы: Зайнабидинов С.З., Мадаминов Х.М. | Опубликовано: 08.08.2020 |
| Опубликовано в выпуске: #4(91)/2020 | |
| DOI: 10.18698/1812-3368-2020-4-58-72 | |
| Раздел: Физика | Рубрика: Физика конденсированного состояния | |
| Ключевые слова: твердый раствор, вольт-амперная характеристика, подвижность, инжекция, модель рекомбинации, дрейфовый механизм | |