Формирование монокристаллических пленок алюминия на базе SCULL-технологии

Аннотация

Представлены результаты комплексного исследования островковой стадии роста тонких алюминиевых пленок, необходимой для формирования затравочного слоя и основанной на нем сплошной монокристаллической тонкой пленки на базе SCULL-технологии. Проведено исследование влияния параметров процесса электронно-лучевого испарения --- температуры подложки в процессе роста тонкой пленки 200...500 °С, толщины затравочного слоя 3...5 нм --- на латеральный размер островков. Экспериментальные образцы исследованы методами сканирующей электронной микроскопии, дифракции обратно-отраженных электронов, дифракции рентгеновских лучей и атомно-силовой микроскопии. В результате исследований получена зависимость изменения характера роста затравочного слоя алюминиевой тонкой пленки от параметров процесса осаждения. Разработанная технология формирования затравочного слоя на согласованной с алюминием по постоянной решетке кремниевой подложке Si(111) позволила получить на его основе сплошную пленку алюминия с монокристаллической структурой, толщина которой составляет 35 нм. Среднеквадратичная шероховатость пленки менее 0,4 нм, FWHM = 0,453°

Экспериментальные образцы и технология разработаны в технологическом центре МГТУ им. Н.Э. Баумана (НОЦ "Функциональные микро/наносистемы", ID 74300). Работа выполнена с использованием атомно-силового микроскопа Dimension Icon, входящего в состав уникальной научной установки "Авогадро" (http://avo.ibmc.msk.ru/)

Просьба ссылаться на эту статью следующим образом:

Андрощук М.В., Москалев Д.О., Коршаков Н.Д. и др. Формирование монокристаллических пленок алюминия на базе SCULL-технологии. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Естественные науки, 2024, № 5 (116), с. 56--70. EDN: MBZAUW