Рис
. 2.
Расчетные зависимости относительной ширины
∆
H
отн
r
резонансной кри
-
вой при ФМР от угловой дисперсии ОЛН
α
0
для
H
k
=
1600
А
/
м
,
ω
=
2
·
10
10
с
−
1
при
различных
θ
(
сплошные кривые
)
и эффективного поля магнитной анизотропии
от частоты
H
ef
k
(
ω
)
для различных
α
0
(
штриховые кривые
):
при
θ
=
0
◦
(
1
), 10
◦
(
2
), 20
◦
(
3
), 30
◦
(
4
), 40
◦
(
5
), 50
◦
(
6
), 60
◦
(
7
), 80
◦
(
8
)
и
α
0
=
5
◦
(
1
0
),
10
◦
(
2
0
), 20
◦
(
3
0
), 30
◦
(
4
0
)
На рис
. 2
приведены также частотные зависимости эффективного
поля магнитной анизотропии
H
ef
k
при измерениях методом ФМР на ча
-
стотах
2
·
10
10
≤
ω
≤
10
·
10
10
с
−
1
для различных значений угловой дис
-
персии ОЛН
α
0
(
штриховые кривые
).
В пленках с малой угловой дис
-
персией
(
α
0
<
10
◦
)
значение эффективного поля магнитной анизотро
-
пии
H
ef
k
практически не зависит от частоты
,
так как в указанном диа
-
пазоне частот относительное изменение
H
ef
k
при
α
0
<
10
◦
составляет
менее
1 %.
В сильнодисперсных пленках
(
α
0
=
20
. . .
30
◦
)
величина
H
ef
k
с возрастанием частоты существенно уменьшается
.
Так
,
для пленок с
дисперсией
α
0
=
20
◦
при увеличении частоты ФМР в пять раз относи
-
тельное уменьшение
H
ef
k
составляет
∼
10 %,
а для
α
0
=
30
◦
значение
H
ef
k
уменьшается на
∼
23 %.
Таким образом
,
установлено
,
что в пленках с большим значени
-
ем напряженности поля наведенной магнитной анизотропии
(
H
k
≈
≈
1600
А
/
м
)
угловая дисперсия оси легкого намагничивания оказывает
влияние на параметры ФМР
,
аналогичное влиянию угловой дисперсии
анизотропии электропроводности в пленках с малым полем магнит
-
ной анизотропии
(
H
k
≈
160
А
/
м
),
описанному в работе
[4].
При этом
расчетные зависимости параметров ФМР от значений угловой дис
-
персии поля магнитной анизотропии
α
0
поясняют представленные в
настоящей работе результаты экспериментов по динамическому
(
обра
-
ISSN 0236-3933.
Вестник МГТУ им
.
Н
.
Э
.
Баумана
.
Сер
. "
Естественные науки
". 2003.
№
2 117
