Рис. 1. Схематическое изображение
структуры светодиода с
p
-контактом
в виде дифракционной решетки.
Стрелки — излучение активной обла-
сти, падающее на решетку, и прошед-
шие спектральные порядки излуче-
ния, вышедшего из структуры (верх-
няя часть структуры см. рис. 2)
На изготовленной структуре
с контактом-решеткой проведены
измерения вольт-амперных (ВАХ)
и вольт-фарадных характеристик
(ВФХ), получены зависимость
проводимости от напряжения, диа-
граммы направленности и спек-
тры излучения. Измерения ВФХ
производились прибором Е7-12 на
частоте 1МГц. Для проведения
оптических измерений использо-
вался спектрофотометр HR2000+.
Погрешность при измерении опти-
ческих характеристик составляла
5%, а электрических — 3%. С це-
лью сравнения электрические ха-
рактеристики получены для СИД
аналогичной структуры с обычным
круглым омическим контактом, но
с выводом излучения через сапфи-
ровую подложку.
Оптимизация контакта.
На рис. 2 приведена схема расчета ди-
фракции генерируемого активной областью излучения на ленточной
решетке (изображена верхняя часть структуры). Предполагается, что
активная область представляет собой источник плоской монохрома-
тической волны с волновым вектором
~k
0
, падающей под углом
α
на
ленточную решетку из золота с периодом
Λ
, шириной и толщиной
Рис. 2. Схематическое изображение верхней части структуры светодиода и рас-
четной схемы оптических свойств металлической (Au) полосковой дифракци-
онной решетки, лежащей на поверхности слоя GaN, толщиной 198 нм. Заштри-
хованные прямоугольники изображают сечение активной области в виде плос-
кости (
1
) или периодической системы полосковых источников (
2
)
50
ISSN 1812-3368. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Естественные науки”. 2009. № 2
