Рис. 5. Вольт-амперные характери-
стики СИД с обычным контактом (
1
)
и выполненным в виде Au/Ni орто-
гональной решетки (
2
) с периодом
1 мкм, ширина и толщина направля-
ющих 0,1 и 0,1 мкм соответственно
Рис. 6. Высокочастотные вольт-фа-
радные характеристики СИД с обыч-
ным (
1
) и структурированным (
2
)
контактами от напряжения
Рис. 7. Зависимость проводимости от
напряжения (частота 1МГц) для
СИД со структурированным контак-
том
Рис. 8. Частотные спектры излучения
СИД с контактом-решеткой, снятые
в направлении нормали к излучаю-
щей поверхности (
1
) и по разные сто-
роны от нормали под углами
−
14
,
4
◦
(
2
) и
+36
◦
(
3
)
На рис. 8 приведены экспериментальные частотные спектры мощ-
ности излучения СИД с контактом-решеткой, снятые в направлении
нормали к излучающей поверхности (кривая
1
) и при отклонении де-
тектора в разные стороны от нормали. Как видно, спектры не являются
гладкими и покрыты мелкой “рябью”. Причем “рябь” не вызывается
решеткой, так как такой же вид имеют спектры аналогичных светоди-
одов без решетки. Наиболее вероятная причина этого — то, что ниж-
няя технологическая система слоев исследуемой структуры проявляет
свойства плохого брэгговского рефлектора, а именно спектр излуче-
ния имеет не осциллирующий характер, как в упомянутой работе [9],
а только лишь возмущенный “рябью” вид.
Экспериментальная диаграмма направленности излучения приве-
дена на рис. 9 в зависимости от силы тока в направляющих решетки.
ISSN 1812-3368. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Естественные науки”. 2009. № 2
53
