Евгений Анатольевич Полушкин родился в 1981 г., окончил в 2005 г. Московский
инженерно-физический институт. Младший научный сотрудник ИПТМ РАН. Автор
трех научных работ в области плазмохимии.
Ye.A. Polushkin (b. 1981) graduated from the Moscow Engineering and Physics Institute
in 1990. Junior researcher of the Institute for Problems of Microelectronics Technology
and High-pure Materials of RAS. Author of 3 publications in the field of plasmochemistry.
Вадим Владимирович Сироткин родился в 1959 г., окончил в 1982 г. Московский
институт электронной техники (МИЭТ). Канд. физ.-мат. наук, заведующий лабора-
торией “Прикладная математика” ИПТМ РАН. Автор 73 научных работ в области
численных методов, уравнений математической физики, математического модели-
рования.
V.V. Sirotkin (b. 1959) graduated from the Moscow Institute for Electronic Technology
in 1982. Ph. D. (Phys.-Math.), head of “Applied Mathematics” laboratory of the Institute
for Problems of Microelectronics Technology and High-pure Materials of RAS. Author
of 73 publications in the field of numerical methods, equations of mathematical physics,
and mathematical simulation.
Юлия Владимировна Холопова родилась в 1986 г., окончила в 2008 г. МГТУ
им. Н.Э. Баумана. Старший лаборант ИПТМ РАН. Автор трех научных в области
наноэлектроники.
Yu.V. Kholopova (b. 1986) graduated from the Bauman Moscow State Technical
University in 2008. Senior laboratory assistant of the Institute for Problems of
Microelectronics Technology and High-pure Materials of RAS. Author of 3 publications
in the field of nanoelectronics.
Сергей Юрьевич Шаповал родился в 1949 г., окончил в 1975 г. Московский институт
радиотехники, электроники и автоматики. Канд. техн. наук, заведующий лабора-
торией “Эпитаксиальные микро- и наноструктуры” ИПТМ РАН. Автор более 100
научных работ в области наноэлектроники, физики плазмы, эпитаксии.
S.Yu. Shapoval (b. 1949) graduated from the Moscow Institute for Radio-Engineering
Electronics and Automatics in 1975. Ph. D. (Eng.), head of “Epitaxial Micro- and
Nanostructures” laboratory of the Institute for Problems of Microelectronics Technology
and High-pure Materials of RAS. Author of more than 100 publications in the field of
nanoelectronics, plasma physics and epitaxy.
56
ISSN 1812-3368. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Естественные науки”. 2009. № 2
