6. K r a m e s M. R., O c h i a i H o l c o m b M., H o f l e r G. E., C a r t e r -
C o m a n C. et. al. // Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 2365.
7. C h o i H. W., D a w s o n M. D., E d w a r d s P. R., M a r t i n R. M. // Appl.
Phys. Let. 83 (22), 4483 (2003).
8. B a y r a m B u t u n, J e a n C e s a r i o, S t e f a n E n o c h, R o m a i n
Q u i d a n t, E k m e l O z b a y. Photonics and Nanostructures — Fundamentals
and Applications 5, 86 (2007).
9. S c h n i t z e r I., Y a b l o n o v i t c h E., C a n e a u C., G m i t t e r T. J.,
S c h e r e r A. // Appl. Phys. Lett., 63 (1993) 2174.
10. S e o n g - S u k L e e, I n - S e o k S e o, K y o n g - J u n K i m, C h e u l - R o L e e //
Journal of Korean Physical Society, 45 (5), 1356 (2004).
11. S h e n Y. C., W i e r e r J. J., K r a m e s M. R., L u d o w i s e M. J.,
M i s r a M. S. // Appl. Phys. Lett.,
82
, 2221. (2003).
12. K i m T., D a n n e r A. J., C h o q u e t t e K. D. // Electronics Letters 41 (20) 2005.
13. O d e r T. N., K i m K. H., L i n J. Y., J i a n g H. X. // Appl. Phys. Let. 84 (4),
466 (2004).
14. H i r o y u k i I c h i k a w a, T o s h i h i k o B a b a// Appl. Phys. Let. 84 (4),
457 (2004).
15. И м е н к о в А. Н., Г р е б е н щ и к о в а Е. А., Ж у р т а н о в Б. Е.,
Д а н и л о в а Т. Н. и др. // ФТП 38 (11), 1399 (2004).
16. S h a p o v a l S., B a r a b a n e n k o v M., S i r o t k i n V., P o l u s h k i n E.,
et. al. // WOCSDISE 2007. Venice, Italy. 2007/05/20 – 23. – P. 29–30.
17. Б а р а б а н е н к о в Ю. Н., Б а р а б а н е н к о в М. Ю. // ЖЭТФ. – T. 123
(2003) 763.
18. S h e n g P., S t e p l e m a n R. S., S a n d a P. N. // Phys. Rev. B 26 (1982) 2907.
19. T h e y e M. - L. // Phys. Rev. B 2 (1970) 3060.
20. J o h n s o n P. B., C h r i s t y R. W. // Phys. Rev. B 6 (1972) 4370.
21. S a n g h y u n S e o, G u a n g Y u a n Z h a o, D i m i t r i s P a v l i d i s,
V l a d i m i r L i t v i n o v // WOCSDISE 2007. Venice, Italy. 2007/05/20–23.
– P. 61–63.
Статья поступила в редакцию 16.12.2008
Михаил Юрьевич Барабаненков родился в 1959 г., окончил в 1990 г. Московский
инженерно-физический институт. Д-р физ.-мат. наук, ведущий научный сотрудник
ИПТМ РАН Автор 103 научных работ в области радиационной физики и теории
многократного рассеяния.
M.Yu. Barabanenkov (b. 1959) graduated from the Moscow Engineering and Physics
Institute in 1990. D. Sc. (Phys.-Math.), leading researcher of the Institute for Problems of
Microelectronics Technology and High-pure Materials of RAS. Author of 103 publications
in the field of radiation physics and theory of multiple scattering.
Анатолий Викторович Ковальчук родился в 1961 г., окончил в 1988 г. Московский
физико-технический институт. Старший научный сотрудник ИПТМ РАН. Автор 42
научных работ в области физики плазмы и фотохимии.
A.V. Kovalchuk (b. 1961) graduated from the Moscow Physics and Technology Institute
in 1988. Senior researcher of the Institute for Problems of Microelectronics Technology
and High-pure Materials of RAS. Author of 42 publications in the field of plasma physics
and photochemistry.
ISSN 1812-3368. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Естественные науки”. 2009. № 2
55
