Рис. 3. Расчетные зависимости от-
ношения плотностей тока в области
p
–
n
-перехода в центре квадратной
ячейки сеточного контакта (
j
center
)
и
под направляющей решетки (
j
edge
)
от
периода решетки при напряжении на
контакте–решетке 1 (
1
), 1,5 (
2
) и 3 В
(
3
); ширина направляющих решетки
0,1 мкм
Рис. 4. Расчетные зависимости отра-
жения по мощности ТЕ и ТН поляри-
зованной нормально падающей плос-
кой монохроматической волны (дли-
на волны 0,18 мкм) от полосковой
Au решетки как функция зазора (
d`
)
между направляющими решетки тол-
щиной 0,1 мкм и шириной 0,1 (сплош-
ные линии) и 0,2 мкм (штриховые ли-
нии)
электрода: толщина и ширина направляющих
h
= 2
`
= 0
,
1
мкм, зазор
d`
= 0
,
9
мкм, период
Λ = 1
мкм.
Электрические и оптические характеристики СИД с периоди-
чески структурированным контактом.
На рис. 5 приведены ВАХ
светодиодов со структурированным и обычным круглым омическим
p
-контактом. Как видно, наличие дифракционной решетки незначи-
тельно сказывается на ВАХ.
Измерения ВФХ показали, что удельная высокочастотная емкость
СИД с контактом-решеткой (кривая
2
на рис. 6) остается постоянной
от
−
5
В обратного смещения и до
+2
В прямого смещения. Емкость же
СИД с обычным контактом (кривая
1
, рис. 6) имеет существенно немо-
нотонный характер и значительно большую величину в подавляющей
части указанного диапазона приложенных к структуре смещений.
Исследования проводимости структуры от напряжения в высокоча-
стотной области (1МГц) показали, что формирование
p
-контакта в ви-
де решетки не влияет на проводимость диода. Действительно, согласно
данным рис. 7, структура характеризуется участком с отрицательным
значением дифференциальной проводимости. Уменьшение проводи-
мости с ростом прикладываемого напряжения указывает на режим
туннельного тока, что характерно для таких гетероструктур [21].
52
ISSN 1812-3368. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Естественные науки”. 2009. № 2
