Рис. 4. Зависимость смещения максимума интенсивности света, прошедшего
сквозь фотонный кристалл, от длины волны максимума интенсивности источ-
ника: для фотонного кристалла первого (
1
) и второго (
2
) типов
Рис. 5. Изображения кристаллитов на больших поверхностях реального фотон-
ного кристалла, полученные с помощью ПЗС-матрицы
представляют собой наборы параллельных пластин с торцевым выхо-
дом на поверхность ФК, как это показано на рис. 5. Для анализа выхода
дефектов на поверхность использовалось оптическое излучение
s
- и
p
-
поляризаций. Экспериментально установлено, что при использовании
s
-поляризации лучше наблюдаются эффекты возбуждения дефектов,
которые видны на снимке в виде параллельных линий (рис. 6).
В спектре отражения обнаружен ряд пиков (рис. 7), которые соот-
ветствуют максимумам комбинационной опалесценции и, как показал
проведенный анализ, расположены эквидистантно по шкале энергии
88
ISSN 1812-3368. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Естественные науки”. 2006. № 3
