Рис. 6. Участок поверхности фотонного кристалла с плоскими дефектами и
схема их электромагнитного возбуждения
Рис. 7. Схематический вид спектра излучения, рассеянного на дефектах
фотонов. Все они могут быть определены с помощью формулы
~
ω
L
−
~
ω
N
= Δ
E
0
N, N
= 1
,
2
,
3
. . . ,
(1)
где
~
ω
L
— энергия фотона падающего света,
~
ω
N
— энергия фото-
на рассеянного света. Разность энергий таких фотонов равна энергии
возбуждения дефекта, соответствующей наблюдаемому пику с номе-
ром
N
;
Δ
E
0
— минимальная энергия возбуждения дефекта;
N
— номер
пика;
h
= 2
π
~
— постоянная Планка.
В ходе эксперимента со скользящим лучом были получены следу-
ющие значения величин:
N
= 6
,
7
,
8
,
9
;
Δ
E
0
= 0
,
01496
эВ;
~
ω
L
=
= 2
,
037
эВ c коэффициентом корреляции 0,99997. Аналогичный ре-
зультат получен и в случае прохождения света через ФК, когда образец
был наклонен на
15
◦
от нормали к поверхности. В этом случае значе-
ния параметров следующие:
N
= 4
,
13
,
20
,
24
,
30
;
Δ
E
= 0
,
006217
эВ,
~
ω
L
= 2
,
037
эВ, коэффициент корреляции 0,9991. Линейная корреля-
ISSN 1812-3368. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Естественные науки”. 2006. № 3
89
