ФИЗИКА
УДК
535.361
В
.
С
.
Г о р е л и к
(
МГТУ им
.
Н
.
Э
.
Баумана
),
А
.
Л
.
К а
-
р у з с к и й
,
П
.
П
.
С в е р б и л ь
(
Физический инсти
-
тут им
.
П
.
Н
.
Лебедева РАН
),
А
.
В
.
Ч е р в я к о в
(
МГУ
им
.
М
.
В
.
Ломоносова
)
ОБЪЕМНОЕ ВТОРИЧНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
В КОНДЕНСИРОВАННЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
СРЕДАХ
,
ВОЗБУЖДАЕМОЕ ЛАЗЕРАМИ
1
Обнаружено
,
что при возбуждении вторичного излучения в широ
-
козонных полупроводниках
,
находящихся при температуре кипения
жидкого гелия
,
непрерывным гелий
-
неоновым лазером
,
длина волны
генерации которого соответствует области прозрачности иссле
-
дуемых материалов
,
наблюдается антистоксова фотолюминесцен
-
ция образцов
.
При возбуждении вторичного излучения аргоновым
лазером и лазером на парах меди фотолюминесценция образца об
-
наружена не только в широкозонных полупроводниках
,
но и в ряде
конденсированных диэлектриков как при низких температурах
,
так
и при комнатной температуре образца
.
Если энергия квантов возбуждающего излучения
Е
0
больше энер
-
гии запрещенной зоны полупроводника или диэлектрика
,
то вторичное
излучение возникает лишь в тонком приповерхностном слое
(
несколь
-
ко микрон
)
исследуемого материала
.
Соответственно
,
анализ спектров
фотолюминесценции и комбинационного рассеяния
(
КР
)
в этом слу
-
чае позволяет получить информацию об электронном и колебательном
спектрах лишь тонкого приповерхностного слоя полупроводника
.
На
-
блюдаемое при этом вторичное излучение может находиться как в сток
-
совой
(
ω
0
< ω
0
),
так и в антистоксовой
(
ω
0
> ω
0
)
областях
;
здесь
ω
0
и
ω
0
—
частоты вторичного и возбуждающего
(
первичного
)
излучений
соответственно
.
Интенсивность
I
a
антистоксова излучения
,
как прави
-
ло
,
оказывается меньше интенсивности
I
s
вторичного излучения
,
обу
-
словленного стоксовыми процессами
(
правило Стокса
).
В частности
,
для КР при сравнительно небольших значениях
Ω
,
согласно соотноше
-
ниям Эйнштейна для спонтанного излучения и поглощения
,
справед
-
ливо выражение
I
a
I
s
'
n
n
+ 1
=
e
−
~
Ω
kT
,
(1)
1
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных иссле
-
дований
(
проект №
02-02-16221).
ISSN 0236-3933.
Вестник МГТУ им
.
Н
.
Э
.
Баумана
.
Сер
. "
Естественные науки
". 2004.
№
1 3
