Рис
. 3.
Изменение интенсивно
-
сти АФЛ в фосфиде галлия при
Т
= 4
,
2
К при одновременном
сканировании по спектру и
циклическом возбуждении гелий
-
неоновым лазером
(
освещение
в течение
1
с
,
затемнение в те
-
чение
2
с
);
стрелками показаны
максимумы линий
слесвечения АФЛ при времени задержки
2
с после выключения возбу
-
ждения
.
При увеличении времени задержки наблюдается сдвиг спек
-
трального положения максимума линии в направлении меньших значе
-
ний энергии
.
Отметим
,
что видимое глазом послесвечение в фосфиде
галлия при температуре кипения жидкого гелия длится более минуты
.
Обсуждение результатов
,
полученных для фосфида галлия
1.
Низкотемпературные изменения диэлектрических свойств фос
-
фида галлия
.
Спектральные сдвиги
LO-
и
TO-
линий КР при пониже
-
нии температуры
(
см
.
рис
. 1)
позволяют оценить изменения диэлектри
-
ческих свойств фосфида галлия при охлаждении от
300
до
4,2 K.
Со
-
гласно динамической теории кристаллических решеток
,
разность меж
-
ду частотами
LO-
и
TO-
фононов
(
ω
LO
и
ω
TO
)
дипольно активных коле
-
баний реш
e
тки в двухатомных кубических кристаллах полярных полу
-
проводников определяется наличием дальнодействующих дипольных
сил
(
внутреннего поля
)
и выражается через высокочастотную
(
элек
-
тронную
)
диэлектрическую проницаемость
ε
∞
и макроскопический за
-
ряд Борна
Z
B
:
ω
2
LO
−
ω
2
TO
=
Z
2
B
ε
∞
δ
2
;
(2)
здесь
ε
∞
—
высокочастотная диэлектрическая проницаемость
,
δ
2
=
4
πe
2
µV
0
,
(3)
где
e
—
заряд электрона
,
V
0
—
объем примитивной ячейки
,
µ
—
при
-
веденная масса колеблющихся ионов
.
Относительным изменением па
-
раметра кристаллической решетки
a
= 0
,
545
нм фосфида галлия в ин
-
тервале температур от
300
до
1,6 K,
не превышающим
0,1 % [5],
и со
-
ISSN 0236-3933.
Вестник МГТУ им
.
Н
.
Э
.
Баумана
.
Сер
. "
Естественные науки
". 2004.
№
1 9
