Объемное вторичное излучение в конденсированных диэлектрических средах, возбуждаемое лазерами - page 21

Разработанная методика регистрации спектров объемного вторич -
ного излучения при возбуждении излучением в области прозрачности
образца при низких температурах может быть использована в даль-
нейшем для проведения качественного и количественного анализа при-
месей и дефектов, присутствующих внутри объема полупроводника ,
и совершенствования технологии получения сверхчистых полупровод-
никовых материалов. Анализ спектров объемного вторичного излуче-
ния в углеводородах и бензинах представляет интерес для мониторинга
качества топлива и установления присутствия в них различного рода
добавок и примесей. Аналогичная методика может быть использова-
на для диагностики состояния биологических объектов, фармацевти -
ческих препаратов и пищевых продуктов.
Формирование “долгоживущих” поляритонных состояний внутри
объема образца, соответствующих центру зоны Бриллюэна (при k = 0 ),
в результате лазерного облучения обеспечивает реализацию неравно-
весного состояния конденсированного диэлектрика с повышением тем-
пературы электронно-колебательных степеней свободы. Отметим, что
дополнительные возможности в создании неравновесных состояний
при лазерном возбуждении открываются при использовании кристал-
лических порошков. В этом случае лазерное излучение может быть
введено внутрь объема микропорошка с помощью волоконного све-
товода. При этом имеет место “пленение” излучения в небольшом
объеме образца (локализация фотoнов) с последующим сильным ло -
кальным разогревом электронно-колебательных степеней свободы . Та -
кой эффект может быть использован для осуществления ряда техно-
логических процессов: выращивания кристаллов, светоиндуцирован-
ных фазовых превращений (например, “диэлектрик–металл”, “графит–
алмаз”), увеличения скорости химических реакций и др.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. К а р у з с к и й А. Л., К в и т А. В., М у р з и н В . Н ., М и т я г и н Ю.
А ., П е р е с т о р о н и н А. В., А л е щ е н к о Ю. А., М е л ь н и к Н. Н.
Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолю-
минесценции полупроводниковых структур из асимметричных квантовых ям //
Микроэлектроника . – 1996. – Т. 25. - № 1. – С. 13–19.
2. Ю н о в и ч А. Э . Излучательная рекомбинация в полупроводниках / Под ред.
Я.Е . Покровского . – М.: Наука, 1972. – 273 с.
3. T h o m a s D. C., H o p f i e l d J. J., A u g u s t y n i a k W. M. Kinetics of Radiative
Recombination at Randomly Distributed Donors and Acceptors // Phys. Rev. – 1965.
– V. 140. – № 1А. – Р. А202–220.
4. А ш к и н а д з е Б. М., К р е ц у И . П., П ы ш к и н С. Л., Р ы в к и н С. М.,
Я р о ш е ц к и й И . Д. Влияние электрического поля и температуры на интен-
сивность электронного излучения GaP // Физика твердого тела. – 1968. – Т. 10. –
№ 12. – С. 3681–3682.
ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана . Сер. "Естественные науки". 2004. № 1 23