Проведены оценки низкотемпературных изменений диэлектриче
-
ских свойств фосфида галлия
.
Получены значения высокочастотной
диэлектрической проницаемости и эффективного ионного заряда при
температуре
4,2 K.
Результаты исследований объемного вторичного излучения в
монокристаллах
ZnSe
.
Структурные данные по селениду цинка
.
Се
-
ленид цинка характеризуется пространственной группой симметрии
T
2
d
и является прямозонным полупроводником
,
энергия запрещенной
зоны которого составляет
2,67
эВ при комнатной температуре и
2,818
эВ при температуре
4,2
К
[10].
В монокристаллах селенида цинка
,
как и в ряде других соединений
типа
A
II
B
VI
,
ранее наблюдалась фотолюминесценция в антистоксовой
области при температуре кипения жидкого гелия
[11].
Такой эффект
изучался для кристаллов
ZnSe
при возбуждении непрерывным немоно
-
хроматическим источником света с использованием интерференцион
-
ных фильтров
.
В этом случае разрешающая способность при регистра
-
ции спектров была невысокой
(
около
10
нм
).
В работе
[12]
исследова
-
на антистоксова люминесценция монокристалла
ZnSe,
легированного
хромом
,
при возбуждении аргоновым лазером с длиной волны
514,5
нм
в области прозрачности этого кристалла
.
При этом остались неизучен
-
ными особенности антистоксовой люминесценции в образцах селени
-
да цинка без специально вводимых примесей
.
В настоящей работе была
поставлена задача получения более детальных спектров люминесцен
-
ции селенида цинка в стоксовой и антистоксовой областях при непре
-
рывном лазерном возбуждении на различных длинах волн в области
прозрачности кристалла
.
Результаты исследований селенида цинка
,
полученные в настоя
-
щей работе
.
Исследовались монокристаллы
ZnSe
без специально вво
-
димых примесей со структурой типа сфалерита и ориентацией
[100],
полученные методом выращивания монокристаллов из паровой фа
-
зы
[13].
Схема используемой экспериментальной установки аналогична
применявшейся в работе
[14].
В процессе измерений образец находил
-
ся в жидком гелии в оптическом гелиевом криостате при температуре
4,2
К
.
Вторичное излучение возбуждалось гелий
-
неоновым лазером с
длиной волны
632,8
нм и мощностью
5
мВ или аргоновым лазером с
длинами волн генерации
514,5, 488
и
476,5
нм и мощностью около
5,2
и
5
мВт соответственно
.
Энергии квантов возбуждающего излучения
при этом равны
1,96, 2,41, 2,54
и
2,6
эВ
.
Регистрация спектров вторич
-
ного излучения осуществлялась фотоумножителем ФЭУ
-79
методом
счета фотонов
.
Спектральная ширина аппаратной функции использу
-
емого при этом спектрометра составляла
2
. . .
4
см
−
1
в исследуемом
спектральном диапазоне
.
14 ISSN 0236-3933.
Вестник МГТУ им
.
Н
.
Э
.
Баумана
.
Сер
. "
Естественные науки
". 2004.
№
1
