значительной степени может быть обусловлено уменьшением коэффи
-
циента поглощения образца
.
Исходя из вида спектров можно предположить
,
что возбуждение
краевого излучения
(
2
,
7
. . .
2
,
8
эВ
)
и полосы люминесценции с мак
-
симумом интенсивности излучения вблизи
2,5
эВ в селениде цинка
квантами с энергией
1
,
96
. . .
2
,
6
эВ происходит в основном посред
-
ством двухступенчатых процессов с участием промежуточных уровней
в запрещенной зоне
,
расположенных в интервале
0
,
9
. . .
2
эВ выше края
валентной зоны
.
Такое предположение согласуется с выводами
,
сделан
-
ными в работах
[11, 12].
В возбуждение полос с максимумами вблизи
2
и
2,3
эВ вносят вклад как двухступенчатые
,
так и одноступенчатые
процессы
.
Единственная разрешенная для ориентации
[100]
кристалла
LO-
компонента комбинационного рассеяния проявляется в спектрах
в виде небольшого резкого пика
,
смещенного на
31,6
мэВ в направле
-
нии меньших значений энергий от возбуждающей линии
(
см
.
рис
. 4).
В спектре вторичного излучения в диапазоне
2
,
68
. . .
2
,
82
эВ
,
возбу
-
ждаемого аргоновым лазером с длиной волны
488
нм
(
см
.
кривую
2
на
рис
. 4),
присутствуют четыре резких эквидистантных по энергии мак
-
симума
.
Максимум
,
соответствующий наибольшей энергии
(2,783
эВ
),
согласно данным работы
[17]
относится к так называемой линии
I
deep
1
экситона
,
локализованного на глубоком акцепторе
.
По
-
видимому
[17],
линия
I
deep
1
обусловлена комплексами
,
содержащими вакансии
Zn.
Эквидистантные резкие пики с меньшей энергией на рис
. 4
являются
фононными повторениями линии
I
deep
1
с энергией
LO-
фонона
,
равной
31,6
мэВ
,
причем первый
LO-
пик имеет наибольшую интенсивность в
спектре
.
Ширина линии
I
deep
1
(
а также ее первого
LO-
пика
)
на полувы
-
соте составила
1
мэВ
(
при спектральной ширине аппаратной функции
спектрометра
0,5
мэВ
).
Вблизи линии
I
deep
1
наблюдалась менее интен
-
сивная линия с максимумом при
2,781
эВ и полушириной около
3
мэВ
,
возможно
,
обусловленная экситоном
,
локализованным на остаточной
примеси меди
[17].
Другой причиной
,
обусловливающей появление дублета экситон
-
ных линий
2,783
и
2,781
эВ
,
может являться наличие расщепления экси
-
тонного состояния
I
deep
1
на оптически запрещенное
(2,781
эВ
)
и оптиче
-
ски разрешенное
(2,783
эВ
).
На это указывает существенно более вы
-
сокое отношение интенсивности бесфононного запрещенного компо
-
нента дублета к интенсивности бесфононного разрешенного компонен
-
та
(1:2),
чем такое же отношение для соответствующих
LO-
пиков
2,749
и
2,751
эВ
,
которое составляет приблизительно
1:10.
Это различие мо
-
жет быть объяснено более сильным влиянием эффектов перепоглоще
-
16 ISSN 0236-3933.
Вестник МГТУ им
.
Н
.
Э
.
Баумана
.
Сер
. "
Естественные науки
". 2004.
№
1
