ния люминесценции из объема кристалла для разрешенных переходов
экситона
I
deep
1
.
Таким образом
,
получены детальные спектры стоксовой и анти
-
стоксовой фотолюминесценции монокристаллов
ZnSe
без специально
вводимых примесей при возбуждении гелий
-
неоновым и аргоновым
лазерами
,
длины волн генерации которых находятся в области про
-
зрачности селенида цинка
,
при температуре
4,2
К
.
Наблюдаемая в
образце антистоксова фотолюминесценция обусловлена двухступен
-
чатыми процессами возбуждения носителей в полупроводнике с уча
-
стием промежуточных уровней
.
Существование этих уровней может
быть связано с наличием остаточных примесей или дефектов в по
-
лупроводнике
.
Разработанная методика регистрации спектров объем
-
ного вторичного излучения при возбуждении излучением в области
прозрачности образца при низких температурах может быть использо
-
вана в дальнейшем для проведения качественного и количественного
анализа примесей и дефектов
,
присутствующих внутри объема полу
-
проводника
,
и совершенствования технологии получения сверхчистых
полупроводниковых материалов
.
Двухступенчатый процесс фотовоз
-
буждения носителей открывает возможности для создания неравновес
-
ной концентрации носителей в полупроводнике и соответствующего
увеличения электронной температуры и проводимости полупроводни
-
кового образца
.
Методика исследования объемного вторичного излучения в
углеводородах и нефти при непрерывном и импульсно
-
периоди
-
ческом лазерных возбуждениях
.
Наряду с методикой непрерывного
возбуждения объемного вторичного излучения в диэлектриках может
быть использована методика возбуждения
,
основанная на применении
импульсно
-
периодического лазера
.
Для этого авторами был использо
-
ван разработанный в последние годы лазер на парах меди
,
характери
-
зующийся сравнительно высоким КПД
[18–20].
Общий вид установки
,
предназначенной для исследования объем
-
ного вторичного излучения в конденсированных средах при импульсно
-
периодическом лазерном возбуждении
,
представлен на рис
. 5.
Принципиальная схема экспериментальной установки приведена
на рис
. 6.
Лазер на парах меди
1
генерирует излучение в видимой
области спектра с длинами волн
λ
= 510
,
6
и
578
,
2
нм
.
Лазерная гене
-
рация осуществляется в виде коротких импульсов
(20
нс
),
следующих
с частотой повторения
16
кГц
.
Суммарная средняя мощность генера
-
ции составляет
1
В
.
Исследуемое вещество в количестве около
1
см
3
помещается в световодную кювету
3
,
имеющую входное окно из квар
-
цевого стекла КУ
.
Вторичное излучение
,
возникающее в кювете
,
пред
-
ISSN 0236-3933.
Вестник МГТУ им
.
Н
.
Э
.
Баумана
.
Сер
. "
Естественные науки
". 2004.
№
1 17
