Зажигание обратного дугового разряда в цезиевом термоэмиссионном диоде - page 6

Рис
. 5.
Зависимость напряжения зажигания обратного дугового разряда от тем
-
пературы анода
:
p
Cs
=
2
,
67 (
1
); 5,2 (
2
); 10,2 (
3
); 13,5 (
4
)
Па
;
длина МЭЗ
3,5
мм
комбинацией заряженных частиц на электродах и изоляторах МЭЗ
,
бу
-
дут максимальны
.
Следовательно
,
можно постулировать распределе
-
ние потенциала в МЭЗ
,
представленное на рис
. 6,
а
.
Примем
,
что по
-
тенциал поверхности катода равен нулю
.
Энергию в дуговой разряд
вносят быстрые электроны
,
вызванные
,
в основном
,
вторичной ионно
-
электронной эмиссией
,
эмиттированные анодом и ускоренные на анод
-
ном скачке потенциала
ϕ
A
.
Поток электронов с анода определяется
выражением
Γ
e
A
=
γ
Γ
i
A
+
Γ
R
A
,
(
1
)
где
γ
коэффициент вторичной ионно
-
электронной эмиссии
,
вели
-
чина которого для металлопленочных катодов составляет примерно
0,05 [6];
Γ
i
A
поток ионов на анод
,
зависящий от параметров плаз
-
мы у анода
;
Γ
R
A
ричардсоновский ток термоэлектронов с анода
,
определяемый пятнами
,
у которых работа выхода минимальна
.
В свою очередь
,
Γ
i
A
=
1
2
n
A
v
i
A
;
ISSN 0236-3933.
Вестник МГТУ им
.
Н
.
Э
.
Баумана
.
Сер
. "
Естественные науки
". 2003.
2 95
1,2,3,4,5 7,8,9,10,11,12,13
Powered by FlippingBook