Зажигание обратного дугового разряда в цезиевом термоэмиссионном диоде - page 7

Рис
. 6.
Распределение параметров в МЭЗ диода в режиме зажигания обратного
дугового разряда
:
а
потенциальная диаграмма
,
б
постулированная функция распределения терма
-
лизованных электронов у катода
здесь
n
A
концентрация заряженных частиц в квазинейтральной плаз
-
ме у анода
;
v
i
A
тепловая скорость ионов у анода
,
выраженная через
их температуру
T
i
A
,
примерно равную температуре анода
T
A
:
v
i
A
=
s
8
kT
A
π
m
i
,
где
m
i
масса иона
,
k
постоянная Больцмана
.
Ричардсоновский поток с анода определяется выражением
Γ
R
A
=
A
e
T
2
A
exp
µ
Φ
A
kT
A
,
где
A
=
120
,
4
А
2
/(
см
2
·
К
2
),
e
заряд электрона
,
Φ
A
эффективная ра
-
бота выхода анода
.
Горячие
термализованные электроны
,
осуществляющие ступен
-
чатую ионизацию атомов цезия
,
захвачены в потенциальную яму
(
ϕ
я
>
ϕ
K
=
0,
где
ϕ
я
текущая глубина потенциальной ямы
(
рис
. 6)),
и не могут достигать анода
,
так как отделены от него потенциальным
барьером
ϕ
A
=
U
обр
заж
Φ
K
Φ
A
e
,
который практически равен потенциалу зажигания обратного дугового
разряда
.
Ионы свободно сбрасываются из разряда на анод
.
В этих усло
-
96 ISSN 0236-3933.
Вестник МГТУ им
.
Н
.
Э
.
Баумана
.
Сер
. "
Естественные науки
". 2003.
2
1,2,3,4,5,6 8,9,10,11,12,13
Powered by FlippingBook