8 / 13
С.Т. Суржиков
40
ISSN 1812-3368. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Естественные науки. 2016. № 5
Рис. 7.
Осевые распределения поступательной температуры (
а
) и давления (
б
)
вдоль критической линии тока для первой (
1
), второй (
2
), третьей (
3
), четвертой (
4
),
пятой (
5
), шестой (
6
) и седьмой (
7
) точек траектории
(поток справа налево)
Рис. 8.
Распределение электронной
концентрации в сжатом слое
для шести точек траектории
(поток справа налево)
В четвертой точке траектории объемные электронные концентрации и кон-
центрация ионов NO
+
одинаковы (рис. 9,
б
). В этих условиях вклад столкнови-
тельной ионизации минимален. В ударном слое превалируют концентрации мо-
лекул N
2
и O
2
, а также NO. Атомарные концентрации N и O равны соответ-
ственно 7
10
16
см
3
и 3
10
13
см
3
.
Распределения плотностей конвективных тепловых потоков для первых пя-
ти точек траектории приведены на рис. 10. Полный конвективный тепловой
поток складывается из кондуктивного и диффузионного потоков (в рассматри-
ваемых условиях абсолютной каталитичности поверхности).
Равновесные радиационные температуры поверхности уменьшаются от
2000 до 700 K (рис. 11).