рые имеет ЖИГ:
d
(4
πM
0
) /
dT
≈ −
4
,
0
Гс/
◦
С,
dH
c
/
dT
≈
0
,
4
Э/
◦
С. Вы-
делим то обстоятельство, что значение производной
dH
c
/
dT
мал´о по
сравнению с
d
(4
πM
0
) /
dT
. Тем не менее анизотропия ТКЧ имеет ярко
выраженный характер. Исключение составляет пленка с ориентаци-
ей вдоль кристаллографической плоскости (111) — расчет не выявил
в этой пленке плоскостную анизотропию. Такому поведению мож-
но дать следующее объяснение. Для (111)-пленки имеем
γ
=
π
/4
и
(1
−
3 cos 2
δ
) = 0
. Диагональные компоненты
M
0
N
c
ii
в этом слу-
чае не зависят от угла
ψ
. Зависимость от угла
ψ
имеется только у
компоненты
M
0
N
c
xy
. При этом компонента
M
0
N
c
xy
входит в ДУ в ква-
драте и при дифференцировании по температуре дает произведение
2
M
0
N
c
xy
d M
0
N
c
xy
dT
. Для значения
H
c
= 0
, использованного при
расчете зависимостей, приведенных на рис. 3 и 4, данное произведение
обращается в нуль и в выражении ТКЧ не останется членов, завися-
щих от угла
ψ
.
Наибольшую анизотропию демонстрируют пленки с ориентация-
ми типа {100} и {110}. На рис. 3 соответствующие зависимости обо-
значены индексами (100), (101), а на рис. 4 — (001), (110). Обратим
внимание на то, что в максимумах данных зависимостей значения
ТКЧ существенно меньше (по модулю), чем в пленке с ориентацией
(111). Значение угла
ψ
в максимумах соответствуют намагничиванию
вдоль кристаллографической оси типа
h
100
i
. Следует отметить, что
по технологическим причинам наибольшее распространение в настоя-
щее время получили пленки ЖИГ с ориентациями типа {111}. Пленки
других ориентаций изучались только с позиции анизотропии спектра
МСВ — анализ температурных характеристик проводился на основе
модели пленки из изотропного феррита.
Следовательно, параметр
H
c
, с одной стороны, и производная
dH
c
/
dT
— с другой, отражают два разных аспекта влияния кристал-
лографической магнитной анизотропии на характеристики МСВ. С
параметром
H
c
связана анизотропия спектра МСВ, и при
H
c
= 0
спектр становится изотропным. Вместе с тем, если температурная
зависимость
H
c
(
T
)
такова, что
dH
c
/
dT
6
= 0
, то производная ста-
новится источником анизотропии ТКЧ. Существенными факторами,
определяющими масштаб этой анизотропии, являются кристаллогра-
фическая ориентация пленки и значение
dH
c
/
dT
. Кроме того, из
полученных результатов следует, что даже в ферритах, считающих-
ся слабоанизотропными (с позиции анизотропии спектров), выбором
кристаллографической ориентации пленки и направления намагничи-
вания можно существенно улучшить термостабильность устройств на
основе ПМСВ, особенно в длинноволновой части спектра.
ISSN 1812-3368. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Естественные науки”. 2013. № 3
49
