Оценим поведение ВИМ при изменении положения рабочей точ-
ки и неизменных коэффициентах регуляторов с настройкой системы
управления на технический оптимум (перерегулирование
δ
= 4
,
3 %
,
время первого согласования
t
1
= 4
,
71
T
, время переходного процесса
t
р
= 8
,
4
T
, где
Т
— эквивалентная постоянная времени скорректиро-
ванного контура тока).
Влияние
I
0
.
При снижении тока
I
0
от расчетного уменьшается ко-
эффициент
K
b
и переходные процессы затягиваются (уменьшив
K
b
в
2 раза, получим монотонный переходной процесс; время переходно-
го процесса
11
,
7
Т
). Если рабочая точка находится внутри линейной
области зависимостей
Ψ (
I
ф
)
, то с ростом тока в системе увеличивается
колебательность (например, при увеличении
K
b
в 2 раза перерегули-
рование составляет уже 16%).
Влияние
ω
0
и
L
eq
.
Рассмотрим поведение контура тока при жестко
заданной скорости. Как следует из (22), изменение рабочей скорости
влечет за собой изменение эквивалентного сопротивления. Если уве-
личить
R
экв
в 2 раза, при реакции контура тока на скачок задания
время переходного процесса увеличивается до
18
,
7
Т
. При уменьше-
нии
R
экв
в 2 раза перерегулирование составляет 3,1%, время переход-
ного процесса
11
,
3
Т
. Следует также отметить, что в области низких
скоростей переходной процесс может развиваться в пределах одно-
го цикла коммутации, и влияние отклонения индуктивности фазы от
усредненной усилится. В частности, при уменьшении
R
экв
в 2 раза
и
L
eq
=
L
max
перерегулирование составляет 8%, время переходного
процесса
t
р
= 23
,
1
T
.
На регулировании скорости изменения в контуре тока сказываются
следующим образом. При увеличении
R
экв
в 2 раза перерегулирова-
ние составляет
δ
= 3
,
5 %
,
t
р
= 9
,
7
T
; при уменьшении
R
экв
в 10 раз
δ
= 5
,
8 %
,
t
р
= 7
,
8
T
. При увеличении
L
eq
в 2 раза получаем моно-
тонный переходной процесс,
t
р
= 6
,
1
T
; при уменьшении
L
eq
в 2 раза
δ
= 19 %
,
t
р
= 16
,
9
T
.
Сделанные выше выводы касаются только режима работы ВИМ
без насыщения магнитной системы, т.е. только для линейной области
магнитных характеристик
Ψ (
I
ф
)
. Для зоны локального насыщения с
использованием кусочно-линейных зависимостей
Ψ (
I
ф
)
[4] в первом
приближении получим
L
eq
=
L
рас
,
(27)
где
L
рас
— индуктивность в начале перекрытия зубцов;
R
eq
=
R
ф
;
(28)
K
b
=
dL
d
Θ
I
нас
=
const
,
(29)
где
I
нас
— значение тока насыщения.
100
ISSN 1812-3368. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Естественные науки”. 2009. № 3
