и внешних граничных поверхностях исследуемых объектов. Причем
расположение и число таких точек согласуется с положением узлов
дискретной пространственной сетки, используемой при численном ре-
шении электродинамической задачи. В задачах неразрушающего кон-
троля центры детекторов могут располагаться, например, на поверхно-
сти усиливающих экранов, а их число определяется свойствами сим-
метрии планируемого эксперимента;
— около заданных центров строится детектор, форма и размеры
которого определяются свойствами граничной поверхности объекта,
удобством расчета и энергией электронов. Важно, чтобы способ по-
строения детектора обладал алгоритмической простотой, поскольку,
вообще говоря, вся совокупность детекторов строится для каждого
электрона отдельно (при этом положения центров детекторов для всех
электронов, естественно, не меняются).
Построение детекторов для задачи об инжекции электронов с
граничных поверхностей объектов, облучаемых фотонным излучени-
ем
. Множество точек
{
T
k
}
K
k
=1
на граничных поверхностях объекта,
в которых рассчитывается плотность потока инжектируемых элек-
тронов, выбирается исходя из анализа постановки задачи, а также
с учетом возможностей используемой вычислительной техники. В ря-
де практических задач требуется рассчитать распределения плотности
электронных потоков по энергии и направлениям, что требует значи-
тельного объема оперативной памяти в процессе вычислений и дис-
кового пространства для хранения результатов расчетов.
Предположим, что множество точек
{
T
k
}
K
k
=1
для регистрации элек-
тронов выбрано. Теперь необходимо определить размеры и форму де-
текторов. В качестве формы детектора удобно использовать цилиндр,
расположенный внутри приграничного материала объекта так, что
центр его нижнего основания совпадает с точкой
T
k
(рис. 3). Радиус
основания
R
k
определяется для каждого цилиндра в зависимости от
локальных свойств граничной поверхности и априорной информации
о скорости изменения искомых величин вдоль границы объекта. Так,
ясно, что значение
R
k
должно быть много меньше радиуса кривизны
граничной поверхности. Однако слишком малое значение
R
k
может
заметно ухудшить статистику регистрируемых электронов.
Ось симметрии цилиндра выбирается вдоль направления внутрен-
ней нормали к граничной поверхности в точке
T
k
.
Пусть далее после очередного поворота траектории фотона (рис. 4)
рассчитаны энергия
E
e
и направление движения
~
Ω
e
электрона (компто-
новского или фотоэлектрона) в приграничном материале объекта. То-
гда высота
h
(
E
e
)
цилиндра выбирается равной длине пробега электро-
на
L
e
(
E
e
)
в веществе граничного материала. Отметим, что материал,
ISSN 1812-3368. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Естественные науки”. 2009. № 4
79
