Previous Page  5 / 15 Next Page
Information
Show Menu
Previous Page 5 / 15 Next Page
Page Background

В.С. Зарубин

8

ISSN 1812-3368. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Естественные науки. 2017. № 5

можность установить условия, при которых эти решения перестают существо-

вать, что и определяет состояние теплового пробоя диэлектрика.

Тепловой пробой слоя диэлектрика может быть связан с возникновением в

этом слое значительной разности значений температуры, в связи с чем необходи-

мо учитывать зависимость коэффициента теплопроводности материала диэлек-

трика от температуры. Это приводит к существенному усложнению дифференци-

альной формы модели теплового пробоя, затрудняющему ее количественный

анализ. В этом случае целесообразно дифференциальной форме модели поста-

вить в соответствие вариационную форму, которая непосредственно путем

использования аппроксимации температурного состояния в слое диэлектрика

позволяет оценить критическое значение разности электрических потенциалов,

соответствующее наступлению теплового пробоя этого слоя.

Вариационная форма математической модели.

Для перехода к вариаци-

онной форме модели теплового пробоя слоя диэлектрика предварительно вве-

дем с помощью подстановки Кирхгофа [14] функцию

 

*

( ) = ( ) ,

T

T

T T dT

(7)

называемую обычно потенциалом теплопроводности. Здесь

*

T

— нижняя грань

множества возможных значений температуры в рассматриваемом слое диэлек-

трика. Разделив обе части равенства (7) на

**

,

T

где

 

*

*

= ( ),

T

запишем

 

  

1

* *

( )

( ) = = ( ) ,

T

d

T

(8)

где

*

= / ;

T T

   

*

( ) = ( ) / .

T

Поскольку

 

( ) > 0,

функция

 

( )

является возрастающей при увеличе-

нии безразмерной температуры

и имеет взаимно однозначную обратную

функцию

 

( ),

также возрастающую, но при увеличении

.

Тогда уравнение

(4) с учетом равенств (5) и (8) в случае цилиндрического слоя диэлектрика мож-

но привести к виду

 

    

  

2

0

exp

= 0.

(ln(1 1/ ))

( )

n

n

n

n

d d

d

d

(9)

Здесь

= / ;

r h

0 0

= / ;

r h

   

2

0 0 *

= ( )

/(

);

U k

W

0 *

= / ( ).

W k T

Граничные усло-

вия (6) перейдут в равенства

 

  

   

   

*

*

0

0

1

1

0

1

=

= 1

0

0

( )

( )

= 0;

= 0,

d

d

R

d

R

d

(10)

где

*

*

0 0 *

= / ;

T T

*

*

1 1 *

= / ;

T T

0

,

1

— значения искомой функции

 

( )

на по-

верхности цилиндрического слоя диэлектрика при

 

0

=

и

  

0

= 1.

В случае

плоского слоя диэлектрика в уравнении (9) следует положить

= 0,

n

а в равен-